中国EUV光刻自主研发获重大进展 打破技术封锁！在深圳实验室，一台极紫外光刻原型机成功产生光源，这一进展与阿斯麦首席执行官几个月前的预测形成鲜明对比。当时他坚称中国需要很长时间才能掌握这项技术。12月18日早上，路透社报道了深圳实验室里正在进行测试的一台大型设备。
这台由中国科研团队制造的极紫外光刻机（EUV）原型机已经投入运行并成功产生了极紫外光。消息人士透露，中国的目标是在2028年实现芯片生产。该原型机在2025年初成功打造，目前能够产生EUV光，但尚未生产出能正常工作的芯片。外媒猜测中国科研人员通过逆向工程研究荷兰ASML公司的EUV光刻技术，但这只是猜测，并不代表实际情况。
这台原型机大小与现代高数值孔径EUV机器相当，占据了整个工厂的空间。这一突破标志着中国在光刻技术领域迈出重要一步。此前，中国的光刻机制造商主要停留在65纳米制程阶段。中国计划在2028年实现芯片生产，但更有可能到2030年才实现量产。这一计划正在稳步前行。
阿斯麦首席执行官曾表示，由于美国对大陆禁止出口EUV微影设备，中国芯片技术将落后西方十到十五年。但他也指出，如果西方不分享技术，中国会自主研发。中国EUV原型机的问世证明了他的判断。
中国科研人员在开发过程中采取多种技术路径。外媒认为，中国公司利用二手部件创造了功能版本，从二手市场上获得ASML旧机器的零部件成为项目的重要部分。这种策略降低了研发成本，加快了技术积累。
华为在芯片设计和生产方面扮演了关键角色，努力建立国内人工智能供应链以绕过外国技术限制。华为在中国观澜建立了一个设施，使用7纳米技术为其定制处理器制造半导体，引发国际半导体行业关注。
一些观察家重新评估中国技术突破的时间表，认为2028年是一个可实现的目标。A股市场光刻机概念股已扩容至40余只，核心标的如芯碁微装、江丰电子等公司获得多家投资机构推荐。国产化率也在提升，尤其在i线前道光刻机和中低端DUV设备领域，中国企业已经实现了批量替代。
中国EUV光刻机原型机的出现正在改变全球半导体产业格局。随着全球半导体供应链重构加速，中国光刻机产业迎来关键转折。国产替代率已提升至12%，较2024年增长5个百分点。阿斯麦执行官富凯警告，如果西方持续收紧制裁，中国将全力开发自主设备，摆脱对西方技术的依赖。
深圳EUV原型机的研发线日夜运转，等待下一步测试。一名欧洲分析师简略回复称：“市场即将重划版图。”阿斯麦总部高管们也在重新审视对华出口的数据。曾经固若金汤的技术壁垒正在被悄然撬动。
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